三星今天(11月7日)宣布開始量產第8代V-NAND閃存芯片，堆到了236層。

上一代V-NAND其實只有176層，已經用在了旗艦SSD固態盤990 PRO上。

關于第八代V-NAND，有兩點值得一說，一是三星介紹單芯片現在可以做到1Tb，也就是256GB的超大容量。二是這次依然是TLC顆粒(3 bits/cell)。

其實，部分廠商在進入到150+層的階段后，開始大肆制造更具成本效益的QLC顆粒，好在這次堅守住了底線。

據悉，第8代V-NAND閃存芯片采用Toggle DDR5內部接口，傳輸速度2400Mbps，未來用于PCIe 5.0固態盤上，典型速度將能達到12.4GB/s。

因為生產效率提升20%，最終的SSD成品模組也有望更便宜。稍稍遺憾的是，三星這次并沒有透露商用產品何時首發。

關鍵詞： 三星介紹單芯片可以做到1Tb 三星介紹單芯片 單芯片可以做到1Tb 單芯片做到1Tb