21世紀經濟報道記者駱軼琪 深圳報道

在新能源汽車和風光儲行業(yè)高速發(fā)展背景下，第三代半導體以其耐高壓、耐高溫等特性而備受關注。

(資料圖片)

當前技術仍在持續(xù)向前發(fā)展，在成本下降和良率提升等方面都有巨大提升空間。此前特斯拉宣布將大幅減少碳化硅用量，本質上就是源于碳化硅器件成本高企、同時產量尚且供不應求。

在此背景下，相關產業(yè)鏈公司在積極開疆拓土。近期意法半導體宣布與三安光電在國內花費超200億規(guī)模建廠，就有提前為承接中國市場應用做準備的意圖，這對國內產業(yè)鏈也帶來一定壓力。

縱觀第三代半導體產業(yè)，歐美日巨頭占據壟斷地位，但國內近些年間的快速發(fā)展，已經在技術上縮小了差距，并在積極推動車規(guī)和工規(guī)驗證，不過該兩項驗證都需要較長時間。

應用需求的龐大促成目前國內眾多企業(yè)參與，只是相關高端技術和先進工藝的門檻較高，意味著該行業(yè)后續(xù)不可避免會走向并購整合，實際上海外大廠近些年間已經開始在通過整合補全短板。整體來說，相比硅基市場，第三代半導體領域國內公司的快速奔跑取得了一定成果。

國際巨頭暫領先

結合第三方調研機構的統計可見，在第三代半導體兩大材料領域中，碳化硅器件由于特斯拉的率先應用，而取得了更為快速的應用進展，相關企業(yè)隨之形成鮮明的市場份額差異。

集邦咨詢分析師龔瑞驕分析指出，在碳化硅功率器件市場，意法半導體2021年和2022年分別以40.8%和36.5%的份額位居市場絕對領先位置，加上其余Top4企業(yè)英飛凌、Wolfspeed、安森美和羅姆，全球前五家碳化硅功率器件廠商占全球市場份額在2021年高居95%，2022年下滑到約90.4%，其中Wolfspeed和安森美的份額都有一定程度提高。

意法半導體得以占據領先份額，就與其接下了特斯拉的碳化硅功率器件應用需求密切相關。

從技術發(fā)展脈絡角度，在2023集邦咨詢第三代半導體前沿趨勢研討會上，北京大學寬禁帶半導體研究中心主任沈波表示，拆分產業(yè)鏈來看，襯底、外延、芯片三個環(huán)節(jié)是技術含量更為密集的部分，也是目前投資和創(chuàng)新重點。

碳化硅單晶近期發(fā)展迅速，目前6英寸襯底技術已經穩(wěn)定導入產業(yè)；8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產，其中尤以襯底絕對頭部大廠Wolfspeed推進最為迅速，國內企業(yè)則是在有樣品或小規(guī)模供貨階段。

只是當前8英寸襯底的價格和良率仍有進一步突破空間，整體看，碳化硅襯底也是國內產業(yè)與海外差距最小的細分領域。沈波分析，國內市場在碳化硅單晶襯底領域已有30年研發(fā)積累，目前在缺陷控制、襯底尺寸、面型控制、器件性能和穩(wěn)定性等方面的研發(fā)和產業(yè)化水平與國際大廠仍存在一定差距。

他指出，從襯底市場看，預計到2025-2030年間，4英寸襯底將逐漸退出市場，2026年6英寸襯底需求約為200萬片。碳化硅整體芯片市場到2030年規(guī)模將達150億美元。

碳化硅器件方面，國際上從二極管、三極管到MOSFET等器件都在快速迭代。國內市場在600-1700V功率二極管方面已經規(guī)模化量產，但對于MOSFET功率器件的關鍵工藝技術和產業(yè)化水平仍與海外有差距，國內嚴格意義上還沒有廠商的MOSFET功率器件實現車規(guī)級認證，不過在今年將有一定進展。碳化硅IGBT在國內距離產業(yè)化還相對較遠。

氮化鎵功率器件相比碳化硅器件來說，在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優(yōu)勢。沈波指出，國際上氮化鎵基器件已成功規(guī)模應用于快充領域。但目前問題是寄生效應嚴重，限制了氮化鎵基器件的性能。

“國內氮化鎵基功率器件角度看，材料和器件的整體研發(fā)水平基本與國際同步，但在部分特性指標上仍需努力，雖然已經應用于手機快充、通用電源等領域，但是產品可靠性與海外頭部廠商的水平還存在一定差距。”他續(xù)稱，綜合來看，國內市場在第三代半導體領域的全產業(yè)鏈都具備研發(fā)能力，相對缺乏的是碳化硅IGBT器件產品，在高端碳化硅產業(yè)鏈方面仍需加油。

競合終有一戰(zhàn)

正在發(fā)展中的碳化硅和氮化鎵從技術路線和應用場景都還在探路進程中，不少業(yè)內人士都認為，雖然目前看，兩種材料具有不同的原始材料屬性，但不排除隨著未來技術升級迭代，氮化鎵與碳化硅或許終有一戰(zhàn)。

一位氮化鎵從業(yè)者就指出，過去一年內與整車廠交流發(fā)現，雖然目前上車的第三代半導體器件以碳化硅材料為主，但如果有合適采用氮化鎵材料能通過車規(guī)認證的功率器件模塊、或其他合適的封裝方式，整機廠和OEM廠商都愿意推進采用。

因此，國際大廠已在紛紛開啟收并購動作。龔瑞驕對21世紀經濟報道記者表示，近些年間，碳化硅市場發(fā)生的整合主要為海外大廠發(fā)起，主要以實現更為完整的產業(yè)鏈控制為目的，在有多余精力的情況下，還會向氮化鎵方向進行收并購或業(yè)務探索。其目的是減少成本、優(yōu)化品質。

比如此前主要能力在碳化硅功率器件市場的英飛凌，通過收購頭部廠商GaN Systems得以快速拓展自身份額。據集邦咨詢統計，氮化硅功率器件按照2022年度收入表現看，Power Integrations自2018年開始在高壓氮化鎵市場占據領先地位；排名第二的納微半導體占據17%份額，2022年通過收購開始進軍碳化硅市場。

國內廠商英諾賽科排名全球第三，已經取得了15%份額，在全球有產能最大的8英寸產線，同時覆蓋高壓和低壓市場，并能夠對外提供晶圓代工服務。

“在這種形勢下，國內企業(yè)要趕超，需要從技術層面積極演進，并向國際企業(yè)學習，加速在產業(yè)鏈中驗證，比如國內廣闊的新能源汽車和工業(yè)類市場等，期待迅速從驗證中發(fā)現問題并解決。”他續(xù)稱。　

當前國內無論碳化硅還是氮化鎵，相關企業(yè)都有旺盛發(fā)展勢頭，要實現綜合競爭力提升、應用成本下降，未來難免也會走上整合道路。

一名碳化硅資深從業(yè)者對21世紀經濟報道記者分析，預計碳化硅外延環(huán)節(jié)廠商未來發(fā)展將遇到較大挑戰(zhàn)，因為處在上游的襯底廠商有進入外延領域的想法，下游器件廠商也想延伸進入外延領域。“綜合來看，碳化硅產業(yè)每個環(huán)節(jié)都存在一定過熱表現，最后就看誰能跑出來。”

實際上此前特斯拉宣布大幅縮減碳化硅用量，也是在倒逼產業(yè)鏈更加努力，畢竟當前碳化硅功率器件的應用成本還在硅基器件的2-3倍價格，這也意味著碳化硅仍有較大降價空間。

“我認為車用功率器件中，碳化硅或者其他化合物半導體，未來一定會取代硅基器件，這點不用懷疑。只是碳化硅和氮化鎵仍在發(fā)展，不排除未來氮化鎵在車用市場會與碳化硅存在一定競爭。”前述人士續(xù)稱。

“目前碳化硅器件中的襯底和外延占總芯片成本大約在60%，還有很大降價空間。”該人士分析，預估當碳化硅功率器件的成本僅是硅基器件的1.5倍左右時，由于其能夠為整車帶來系統性的優(yōu)化表現，屆時碳化硅功率器件將徹底取代硅基功率器件。當前大約每年能實現20%左右的成本下降空間，或是通過技術升級、或是通過產能擴充，因此產業(yè)整體還存在一定成本追趕的差距。

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